氧化物厚度变动下的HfO2/SiO2堆栈陷阱性质,蒋然,张燕,对HfO2/SiO2堆栈中四个区域(HfO2, HfO2/SiO2, SiO2 和 SiO2/Si)的陷阱进行了比较分析。陷阱电荷俘获、释放行为显示,相对于SiO2层,陷阱缺陷�