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以光纤通信作为主要目标的半导体激光器,最近几年来取得了显著的进展。随着器件性能的改善和可靠性的提高,工艺的重点正从研究和发展阶段迅速地转移到商品化应用。除了用作光纤通信光源的0.8微米波段和1微米波段
天津工业大学半导体器件和工艺模拟实践报告：本报告全面分析了半导体器件的制造工艺和性能模拟方法。我们探讨了半导体器件的表征方法，并详细说明了各种工艺步骤对器件性能的影响。此外，我们还介绍了常用的半导体器
中国半导体器件型号命名方法 二、日本半导体分立器件型号命名方法 三、美国半导体分立器件型号命名方法 四、 国际电子联合会半导体型号命名方法 欧洲有些国家命名方法半导体的英文及解释
随着技术节点逐渐从45nm 缩小到10nm,传统的喷射清洗技术已经难以清除掉微小的颗粒,随之取代的是兆声波清洗技术,其利用兆声波产生的气穴将颗粒移除。但兆声波的传递并不均匀,颗粒去除率低,而ACM 开
存储芯片是集成电路产业的温度计和风向标。其占集成电路市场整体规 模的比例达 35%。存储 IC 按照信息保存类别,可分为易失性存储器和 非易失性存储器。前者主要包括静态随机存储器(DRAM)、动态随机
半导体行业存在周期性,主要受两个因素影响,宏观经济和技术革新。1)宏观经济变化影响人们消费能力和意愿,通过下游市场需求影响整个行业景气 度;2)技术革新通过刺激下游消费意愿甚至强制改变市场格局。以20
硅-硅直接键合制备SOI材料的主要工艺过程是: (1)键合,将两个硅抛光片(其中一个或两个硅片的表面有热氧化层)进行清洗和活化处理,然后在室温下贴合在一起,通过表面分子或原子间的作用力直接连在一起,
利用光栅外腔的方法对半导体激光阵列(LDA)进行光谱合束时常采用平凸或双凸柱透镜作为变换透镜,然而它会导致外腔的反馈效率低下,经研究发现LDA轴上发光单元的反馈效率为80.5%,对于边缘发光单元甚至降
利用包含透射光栅的外腔反馈结构,使半导体激光器阵列中各发光单元工作波长不相同,实现了各发光单元激射波长的啁啾。通过外腔镜使各个发光单元出射光束重叠及方向一致,实现半导体激光器阵列的光谱合束,从而提高半
该书是美国UCLA的著名教授拉扎维的经典教材，国内顶尖名校的电子教材
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