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稀土掺杂的Ba-Ag-Si和Ba-Au-Si基Ⅰ型笼状物的高压制备与结构和电性能研究，董建英，张隆，采用高压高温的方法合成了有Ce元素掺杂的Ba-Ag-Si基与Ba-Au-Si基Ⅰ型笼状物热电材料。X
Ca3Co4O9是一种具有广泛应用前景的热电功能材料,为了提高其热电性能,利用高压成型方法及常规二次固相反应技术,制备了稀土Ce掺杂的氧化物热电陶瓷材料Ca3-xCexCo4O9(x=0,0.1,0.
Ba和Sm复合掺杂Skutterudite化合物的热电性能，刘桃香，唐新峰，用熔融法结合放电等离子快速烧结（SPS）制备出了单相的Ba和Sm复合掺杂的skutterudite化合物BamSmnFexC
Al掺杂花状金红石型TiO2的制备及其光催化性能，刘胜优，杨晓华，二氧化钛（TiO2）是一种重要的过渡金属氧化物半导体材料，具有稳定、无毒、成本低廉等优点，在光催化等领域获得广泛研究。然而，�
Al掺杂ZnO纳米棒阵列的制备及光学性能研究，丁琼琼，方庆清，采用水热法结合溶胶-凝胶技术在SiO2基片上制备了不同Al含量掺杂的ZnO纳米棒阵列．通过X射线衍射仪(XRD)，电子扫描显微镜（SEM）
Al掺杂Ag8GeTe6基材料的热电性能研究，徐璟，赵新兵，Ag8GeTe6基热电材料作为一种很有潜力的中温热电材料近些年来受到广泛关注。本研究通过Al在Ag8GeTe6基热电材料的Ge位进行P型掺杂
稀土Nd掺杂SrTiO3基陶瓷的制备和介电性能研究，伍小翥，刘韩星，本论以稀土Nd掺杂SrTiO3体系为研究对象，深入研究了NdxSr1-xTiO3(x=0.08～0.14)陶瓷的结构和性能。经研究发
Y2O3掺杂压制钡钨阴极的制备及发射性能研究，刘祥，杨帆，本文通过溶胶凝胶法制备氧化钇、活性盐和钨均匀混合的前驱粉末，结合氢气高温烧结制备得到稀土氧化物Y2O3掺杂压制钡钨新型阴极材�
YAG:Ce透明陶瓷的制备和光学性能研究，魏念，卢铁城，以Ce(NO3)3•5H2O,Y(NO3)3•5H2O和Al(NO3)3•9H2O为原料，NH4HCO3为沉淀剂，采用醇水溶剂共沉淀法在1100
Ce掺杂ZnO压敏薄膜的微观结构与电性能，何恺，徐传孟，通过溶胶-凝胶法制备了一种稀土Ce掺杂的ZnO-Bi2O3压敏薄膜，对薄膜进行了XRD，AFM，介电与压敏性能的表征。结果表明，Ce掺杂不会影响
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