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Sb掺杂ZnO薄膜电学、光学性能的研究，丁萍，潘新花，采用氧等离子体辅助脉冲激光沉积（PLD）法，在n-Si(001)衬底上制备出性能良好的Sb掺杂p型ZnO薄膜，其电阻率为44.18Ωcm，空穴浓度
界面错配对Al掺杂ZnO薄膜形貌和电学性能的影响，许爱燕，羌建兵，本工作采用射频磁控溅射方法在（100）、（110）和（111）Si基底上制备Al掺杂ZnO（AZO）薄膜，研究Si基底取向对AZO薄膜
为改善氧化钨电致变色薄膜的电化学循环稳定性,采用磁控溅射方法制备了钽掺杂的氧化钨电致变色薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、光谱椭偏仪(SE)、紫外
为了研究Co掺杂及掺杂浓度变化对ZnO薄膜结构及光学性能的影响,本文采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备了不同Co掺杂浓度的ZnO薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜、傅里叶变换红外光谱仪、二维傅
Al-H共掺杂ZnO薄膜的形貌及光致发光性能研究
Ag掺杂ZnO薄膜结构和光学特性研究
利用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备Sn掺杂ZnO薄膜(ZnO:Sn),研究了不同Sn掺杂量对薄膜结晶性、表面形貌和光电特性的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光光
通过射频磁控溅射在硅(1 0 0)衬底上沉积多晶Zn(1-x)Eu(x)O(x = 0,0.02,0.05)薄膜。 研究了薄膜的结构,光学和磁性。 X射线衍射和光致发光光谱的结果都表明Eu(3+)离子
利用溶胶凝胶法制备了双掺杂ZnO(Al,La)透明导电薄膜,在还原气氛(N2和H2的体积比为VN2VH2=964)下退火。通过X射线衍射(XRD)、紫外可见分光光度仪、扫描电镜(SEM)和双电测四探针
采用射频反应溅射技术在硅(100)衬底上制备了未掺杂和掺In的ZnO薄膜。掠角X射线衍射测试表明,实验中制备的掺In样品为ZnO薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计分别对两样品的结构、表
低压化学气相沉积法生长的B掺杂ZnO薄膜具有良好的光散射特性,可以用作硅基薄膜太阳能电池的前电极。以Zn(C2H5)2和H2O为前驱体,B2H6为掺杂物,通过低压化学气相沉积法在玻璃衬底上生长了B掺杂
Ce掺杂对CuInS2薄膜结构和光电性能的影响
Cu掺杂对Ce掺杂ZnO纳米粒子结构,光学和磁性的影响
ZrO2掺杂ZnO陶瓷的电性能与微观结构,何恺,徐传孟,本文以球磨法制备ZrO2掺杂ZnO压敏瓷,通过扫描电镜对其显微组织进行了分析,探讨了ZrO2掺杂对ZnO压敏瓷电性能的影响并且研究了晶粒的�
采用射频磁控溅射技术,在石英玻璃基板上沉积Li-W共掺杂ZnO(LWZO)薄膜。 研究了在不同衬底温度下沉积的LWZO薄膜的特性。 基板温度低于120°C时C-根据X射线衍射(XRD)模式,薄膜以(0
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