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MOSFET场效应管的工作原理doc,自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V；低导通电阻MOSFET其阻值仅
LCD常用的集成场效应管介绍,_LCD常用的集成场效应管介绍
场效应管(FET)知识点释义
BF998高频场效应管仿真，高频电路软件仿真用
常用功率场效应管参数大全在嵌入式开发过程中的速查手册
Simple detection of (analog circuit) FET
TMOS场效应管功放集成块
场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。它体积小、工艺简单,器件特性便于控制,是目前制造大规模集成电路的主要有源器件。
介绍晶体管原理，以及指标，以及具体的应用电路
测量场效应管栅极和漏极 在实际电路中你要结合你的电路来选择场效应管的耐压，还有就是耐流。栅源电压是管子的驱动电压，一般15V-20V。过压会造成击穿 场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V)。 场效
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