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本程序适用于法兰取压孔板。计算标准为GB/T 2624.2-2006 ISO 5167-2:2003
主要通过模拟激光打孔温度场分布以及试验来比较机械打孔和激光打孔的质量,同时也对激光加工微小深孔进行了试验,试验结果表明激光打孔比机械打孔具有更多的优点,而且在某些应用领域,激光打孔更是优势显著。
通过硅通孔技术实现红外焦平面电极垂直互连,提高像元占空比,缩短了互连引线长度,降低了信号延迟。用单晶硅湿法刻蚀方法形成通孔,利用直写技术将耐高温Ag-Pd导体浆料填充通孔,实现红外焦平面阵列底电极与硅
在低频率的时候,导通孔的影响不大。但在高速系列连接中,导通孔会毁了整个系统。
3D封装与硅通孔TSV工艺技术，通过硅通孔（TSV）铜互连的立体（3D）垂直整合，目前被认为是半导体行业最先进的技术之一。硅片通孔（TSV）是三维叠层硅器件技术的最新进展。 TSV是一种重要的开发技术
金属化孔填充不良现象的发生及其预防 可焊性不良导致的透孔不良 ⑴ 现象A 焊盘润湿良好、引线可焊性不良所导致的透孔不良现象的特征是：钎料对焊盘及孔壁润湿角很小，而对引线的润湿角很大，孔隙内钎料液面成倒
在走线路径上使用通孔(via),是任何高速传输技术极关切的课题,因为它会产生电磁干扰和串音。此外,在分离的平面之间,绝不能发生互相重迭(overlay),这是PCB电路设计者关心的问题之一。本文将介绍
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