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晶闸管分单向晶闸管、双向晶闸管。单向晶闸管有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向晶闸管有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。 只有当单向晶闸管阳极A与阴极K之间加有
硅光电池是把光能转换成电能的器件。由于硅光电池的主要材料为硅单晶,所以叫硅光电池。硅光电池的结构如图135所示,它是由一个大面积的PN结构成,在N型硅片上制得极薄的P型硅片层,再在PN结的上、下两面各
简介:绝大多数的MCU爱好者对MCU晶体两边要接一个22pF附近的电容不理解,因为这个电容有些时候是可以不要的。参考很多书籍,讲解的很少,往往提到最多的是起稳定作用,负载电容之类的话,都不是很深入理论
无论是专业无线电维修人员。还是业余无线电爱好者,在工作中都会碰到晶体管置换问题。如果掌握了晶体管的代换原则,往往能使维修工作事半功倍,提高维修效率。晶体管的置换原则可概括为三条:即类型相同、特性相近、
NaOH浓度对单晶硅的表面反射率和载流子寿命的影响,李嘉媛,李洪昊,本文研究了不同浓度氢氧化钠溶液对晶向P型单晶硅的各向异性腐蚀特性的影响,并研究了经过不同浓度NaOH溶液刻蚀对单晶硅片的载�
带有反射腔的光子晶体四端口下载滤波器,杜科,,本文提出一种由二维光子晶体构成的四端口下载滤波器。该系统包括三个微腔,其中两个是波长选择放反射腔,用于波长选择性的反射反
建立了基于注入式PIN结构的亚微米硅基波导光学相位调制器模型,对该调制器模型的光学特性和电学特性进行了理论分析和仿真,确定了器件的单偏振单模条件。在此条件下,重点分析并讨论了在不同结构参数与掺杂条件下
设计了一种基于非晶硅的太阳电池新结构。在所设计的结构中,减反膜由双层光栅构成。硅(Si)薄膜被刻蚀成阵列菲涅耳波带片(非周期性光栅)结构,可以使得光聚焦到非晶硅薄膜中, 并且可以节约Si 材料的用量。
针对片上光互连用光源对谐振腔单色性、可调性的要求, 基于互补金属氧化物半导体技术和绝缘衬底上的硅材料, 设计并制作了一种基于微环谐振腔的可调谐硅基反射腔镜。利用转移矩阵方法分析了该反射腔的性能, 发现
超薄刀具的热处理rar,超薄刀具的热处理
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