等离子体增强原子层沉积生长N掺杂Cu2O 薄膜及其物性研究,李微,潘景薪,本文采用等离子体增强原子层沉积技术(PEALD)以NH3为掺杂源对Cu2O薄膜材料进行了N掺杂实验,并对N掺杂后的样品进行了X射线光电子能谱