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用动力学蒙特卡罗方法研究了3C-SiC(111)邻晶面的外延生长机制。生长温度、沉积速率和平台宽度对邻晶面外延生长模式有着重要的影响。模拟结果显示:在温度较低的情况下,晶体表面离散的分布着数量众多的晶
纳米银在超导材料、微电子、医药以及催化等领域具有广泛应用,其粒径差异对性能表现具有重要影响。采用液相还原法,针对具有广泛应用的15~86nm不同粒径纳米银进行了实验设计和制备实现,并对样品的形貌、粒径
1 SiC二极管实现产业化 SiC电力电子器件中,SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品,美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了Si
氧化铝真空碳热还原热力学研究,郁青春,杨斌,真空条件能够有效地降低氧化铝碳热还原反应温度,改变氧化铝碳热还原产物。热力学分析表明,系统压力为30Pa,温度为1773K时,氧化铝
熔融硅转化法制备石墨—碳化硅复合材料微观结构分析，庞生洋，汤素芳，采用熔融硅液相浸渍法制备了碳化硅--石墨复合材料，用扫描电子显微镜（SEM）、X-Ray 衍射仪和能量色散谱仪（EDS）观察了材料的微
近日宣布推出两款新型隔离式控制器局域网(CAN)灵活数据速率(FD)收发器,这两款产品将业内更高总线故障保护、更高共模瞬变抗扰度(CMTI)和更低电磁辐射于一身,尺寸缩小35%。ISO1042和ISO
三代半导体材料之间的主要区别是禁带宽度。现代物理学描述材料导电特性的主流理论是能带理论, 能带理论认为晶体中电子的能级可划分为导带和价带,价带被电子填满且导带上无电子时,晶体不 导电。当晶体受到外界能
交流系统用碳化硅阀式避雷器 GB 7327-87
为了突破大口径反射镜面形检测的瓶颈,提出了子孔径拼接干涉检验方法。分析研究了子孔径拼接的基本原理与实现流程。基于三角剖分算法、最小二乘拟合和齐次坐标变换等建立了综合优化子孔径拼接数学模型。结合工程实际
虽然非球面元件具有无比的优越性,但是大型非球面元件的加工和检测都要比球面困难得多,主要因为大多数的非球面元件只有一个对称轴,而球面却有无数条对称轴,所以,非球面元件不可以采用球面元件加工时的范成法原理
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