暂无评论
本发明提供一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法,包括,将所述籽晶晶片边缘通过粘结剂粘接于具有一定宽度以能可靠粘结固定所述籽晶的环形连接件的一端面;将所述连接件套装在端部周边边缘开槽、且所述槽尺寸与
用温梯法生长的Nd:YAG晶体制成φ5×50毫米激光棒,光学均匀性很好,晶体干涉条纹为零级,重复率输出的平均效率~1%,且极易获得单横模输出。
在非极性和半极性HVPE GaN晶种上生长的氨热GaN晶体的生长行为在这项工作中,通过基本的氨热方法在非极性和半极性HVPE GaN晶种上生长GaN晶体。 研究了各种晶面的生长行为。 观察到具有不同特
恒温蒸发法生长配位聚合物丁二酸锌晶体,张公军,刘晓利,本文测定了Zn(C4H4O4)在水中的溶解度-温度曲线,并采用恒温蒸发法,控制溶剂蒸发的速度和籽晶杆的旋转频率,克服了Zn(C4H4O4)晶体生长
本文以P, Si, Cd为原料采用双温区法合成出140 g的高纯CdSiP2多晶料锭, 分别采用自发形核和施加籽晶的垂直Bridgman法生长出12 mm×40 mm和15 mm×50 mm优质C
采用温梯法工艺进行了掺铈和掺镱铝酸钇(YAlO3或YAP)晶体的生长实验。用同步辐射白光形貌表征了晶体内部生长层的分布情况,结果表明,温梯法生长掺杂YAP晶体的过程中,固-液界面形状比较平坦,这使得所
尽管近年来已经合成了高质量的CdTe和CdTeS合金量子点水溶液(QDs),但荧光性质与生长动力学之间的关系尚未得到充分证明。 在本文中,通常通过“传统”合成方法的改进来制备3-巯基丙酸稳定的CdTe
磷锗锌(ZnGeP2, ZGP)晶体是一种性能十分优异的中红外非线性光学材料。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出高纯ZGP多晶, 单次合成量达到600 g; 采用超微梯度水平冷凝法(0.5~1 °
研究了用温度梯度技术(TGT)生长的铈掺杂原铝钇(Ce:YAlO3或Ce:YAP)晶体的光谱性质,并分析了生长条件对其性能的影响。在这些研究中,使用了光致发光(PL),光致发光衰减(PLD),X射线激
采用激光脉冲沉积法在Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,衬底温度分别为室温,200 °C,300 °C,400°C和500 °C。用X射线衍射仪、拉曼光谱、扫描电子显微镜对薄膜的微结构进行了测量,并测
暂无评论