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我们已经开发出一种用于生产高密度氢等离子体的设备。 在30Pa的压力，1000W的微波功率和5sccm的氢气流速下，原子氢密度为3.0×1021m 3。 我们确认，当钨膜暴露于使用该设备形成的氢等离子
在本工作中，使用由（SnCl2，H2O），（NH4F）和乙醇混合物组成的溶液，通过溶胶凝胶法制备了未掺杂（SnO2）和掺氟氧化锡（FTO）薄膜。 研究了氟浓度对SnO2薄膜的结构，光学和电学性质的影响
利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2 inch (5.08 cm) Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入
近年来,改良西门子法技术随其产量的扩张,其竞争能力得以强化,主流工艺地位进一步稳固,未来20年甚至更多年仍将是主流技术。
几种主流的多晶硅生产工艺pdf,几种主流的多晶硅生产工艺
溶胶-凝胶法制备铝和镓掺杂氧化锌薄膜的热稳定性对比研究，侯波，许爱燕，为了研究AZO和GZO薄膜在空气中的热稳定性能，本文采用溶胶-凝胶的方法在普通玻璃基片上镀制了掺杂浓度均为1 at.%的AZO和G
有关薄膜掺杂技术,描述薄膜的发展及影响薄膜掺杂的因素。
运用新型溶胶凝胶法制备了高比表面积介孔AlPO4玻璃,并通过浸渍法将香豆素102染料镶嵌入该玻璃中。利用激发光谱和荧光光谱方法研究了香豆素102染料镶嵌浓度对光学性质和染料分子的形态的影响。激发光谱结
设计了一套用于准分子激光低温多晶硅制备的线光束整形系统。系统中设置的光斑转换模块可使原始光束截面横纵倒置; 利用扩束模块对原始光束的短轴进行准直, 其扩束倍率可限定短轴光束尺寸, 以配合短轴光束均匀模
化学腐蚀法制备多晶硅的绒面
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