通过电子束蒸发技术在玻璃基板上沉积Zn100-xCdxO薄膜，其x = 0、2、4、6和8 at％。 已经研究了x = 4 at％的Zn100-xCdxO薄膜的结构，光学和电学性质与退火温度的关系。 通过退火发现存在的氧化物，仅锌和镉出现在沉积的薄膜中。 观察到Zn100-xCdx的光学性质，例如透射率，反射率，光学带隙和折射率，受到退火温度的强烈影响。 研究了其他参数，即自由载流子浓度，薄膜的电阻率与4at％CdO含量下退火温度的关系。 由图可知，退火温度的最佳值为450℃。