GaN基发光二极管合成照明光源的开发研究

详细介绍了LED的测试标准和方法，有利于您更方便的了解LED的应用及测试

现代社会已进入信息时代，信息传播占有越来越重要的地位，同时人们对视觉媒体的要求也愈来愈高。近年，随着微电子技术、自动化技术、计算机技术的迅速发展，半导体制作工艺日趋成熟，导致LED显示点尺寸越来越小，

文章为大家详细介绍了LED发光二极管的基础知识。

发光二极管,通常称为LED,是在电子学世界里面的真正无名英雄。它们做了许多不同工作和在各种各样的设备都可以看见它的存在。文章为大家介绍了如何分析发光二极管的工作原理。

本程序包括一个C文件，是关于利用发光二极管显示按键次数的，很详细，是不可多得的文件

由于交流发光二极管(AC-LED)在实际应用中无需交流/直流整流变压器,它的发展越来越被关注。随着器件功率的增大,芯片结温升高,对器件的光通量、光功率及寿命等产生负面影响,所以精确掌握AC-LED的温

通过在有机发光二极管(OLED)的阳极与空穴传输层NPB之间加入m-MTDATA作为缓冲层来研究缓冲层对器件性能的影响。制备了ITO/m-MTDATA(d nm)/NPB(40-d nm)/Alq3(

以Ce:YAG单晶取代传统Ce:YAG荧光粉用于制备白光发光二极管(LED),研究了Ce:YAG单晶厚度及驱动电压的变化对其发射光谱、色坐标、亮度、光视效能和色温的影响。研究结果表明,在基于Ce:YA

目前,发光波长短于360 nm的深紫外发光二极管 (DUV LEDs) 的外量子效率 (EQE) 普遍低于10%。一方面,基于高AlN组分AlGaN材料量子阱的出光中存在大量的横磁 (TM) 模式的偏

数值研究了具有应变补偿的p-AlGaN / InGaN超晶格(SL)和最后量子势垒(LQB)的GaN基发光二极管(LED)的优势。 仿真结果表明,通过用p-AlGaN / InGaN SL代替常规u-