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具有双材料栅极的无结圆柱形环绕栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的准二维阈值电压模型
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场效应管的注意事项 (1)为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。 (2)各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接入电路中,
场效应管测量方法 电阻法测电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电
意法半导体(STMicroelectronics) 今天推出了该公司第一批采用顶置金属片的PolarPAK:registered: 封装的功率IC,这种封装有助于大电流电源组件实现优异的热性能和更高的
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场效应电晶体rar,本文介绍了FET的简介,JFET的特性,MOSFET的特性,以及FET偏压电路。
高科技纳米技术想知道吗?那你就看吧?你难道不想知道?晶体管?
传统上,采用多晶硅栅极的场效应管利用场区LOCOS边缘的重叠来连接在薄的栅氧化区(图1)制造的N+型或P+型源极区和漏极区。由于深亚微米工艺发展使得栅极氧化区的厚度仅有7nm或更薄,而凹形衬底又是高度
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