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Ce掺杂对CuInS2薄膜结构和光电性能的影响
基于平面波赝势密度泛函理论,采用局域密度近似(LDA)方法研究了Sb 掺杂SnO2 的电子结构和光学性质。计算结果表明,与本征SnO2 比较,Sb 掺杂SnO2 的性质,包括能带结构、态密度、电荷密度
烧结升温速率对(Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3无铅陶瓷的结构和电学性能的影响，乔笑爽，陈晓明，采用传统固相反应法制备了(Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3无铅压电陶
高熔点金属掺杂对PtCuNi三元合金纳米晶电催化性能影响，陈锴，涂文哲，铂基合金纳米催化剂作为氧还原反应（ORR）催化剂因其高催化活性而受到关注，然而由于其稳定性较差，限制了其实际应用。本论文基于
溶剂热制备二维Bi2Te3-xSex纳米片及其拉曼光谱的研究，袁建，沐浩然，本文介绍一种温和的溶剂热方法制备二元和三元的Bi2TexSe3-x.系列产物，可以很好的调控晶体的形貌厚度以及化学元素计量比
Fortran编写的有关二维平面TE波的FDTD仿真计算
支腿结构参数对热电器件的力学及热电 性能影响,范世发,高原文,建立了热电器件三维有限元模型,研究了不同支腿结构的热电器件的热结构耦合应力分布和输出功率密度和热电转换效率。定义了支腿结
ZnO薄膜材料表面的Li-N共掺杂构型及其对p型电导的影响，司杭，何海燕，本文利用第一性原理的方法，系统地研究了在ZnO非极性表面和极性表面的不同原子层中，同时用单个Li和N原子分别去替代Zn和O原子
整体绝缘的Bi2Te2Se微薄片的磁阻响应中提取了通用电导涨落(UCF)。 通过场倾斜磁阻测量证明了它们的二维特性。 它们源自表面电子的事实是,在施加面内电场以抑制体电子的相干性时,UCF振幅保持不变
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