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从经典的极化理论出发, 分析了直流电场、低频调制电场和光波电场共同存在时硅材料折射率的变化, 从理论上揭示了场致线性电光效应的物理实质。以近本征硅材料为样品, 采用金属-绝缘体-半导体样品结构, 搭建
建立了磁光晶体磁致偏振特性测试系统。该系统采用中心波长为1538 nm的WGY型半导体激光器,在0~1500 mT的大范围可调磁场下,对光隔离器用磁光晶体GdYBiIG样品的退偏效应进行了测试。测试结
实验研究了热致非线性效应作用下,C60甲苯溶液中强连续激光激发暗空间光孤子的过程,并给出了数值模拟结果。
在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 转换器设计中 , 使用场效应晶体管当作切换开关已经越来越普遍。在设计中为了减少尺寸大小和提升电源密度 , 其电
场效应管是较新型的半导体材料,利用电场效应来控制晶体管的电流,因而得名。它的外型也是一个三极管,因此又称场效应三极管。
磁致应力双折射效应与磁光调制，罗小彬，吴天祥，本文中选用聚碳酸酯（PC）作为弹光材料，实验测量其应力双折射曲线，并将其与铁磁材料铽镝铁（TDF）黏贴成层状复合材料，从中观察�
845年,法拉第(M.Faraday)在探索电磁现象和光学现象之间的联系时发现:当一束平面偏振光穿过非旋光性介质时,如果给介质沿光的传播方向加上磁场,就会观察到光经过介质后偏振面转过 角度(即磁场使介
运用光束传播法对硅交叉波导全内反射光开关中的光学效应进行了详细分析。结果表明:1)光学表面衰减波和泄漏波所引发的光遂道效应对开关特性有重要影响;2)反射端光功率的相对大小与反射区界面位置密切相关,其起
本文讲述增强型NMOS管、增强型PMOS管、增强型NMOS管、耗尽型NMOS管的基础知识。
微流控光学检测系统的微型化和集成化是微流控技术的发展趋势, 微量液体物质的旋光检测也是微流控光学技术的重要研究课题之一。分析了内含磁致旋光介质的旋光反射腔的偏光特性, 理论预言这种旋光反射腔具有旋光增
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