IGBT的构造和功率MOSFET的对比如图 1-1 所示。IGBT 是通过在功率MOSFET 的漏极上追加p+层而构成的,从而具有以下种种特征。 (1) MOSFET的基本结构(2) IGBT的基本结构 图 1-1 功率MOSFET 与IGBT 的构造比较 1.1 电压控制型元件 IGBT 的理想等效电路,正如图 1-2 所示,是对pnp 双极型晶体管和功率MOSFET 进行达林顿连接后形成的单片型Bi-MOS晶体管。 因此,在门极—发射极之间外加正电压使功率MOSFET导通时,pnp 晶体管的基极—集电极间就连接上了低电阻,从而使pnp 晶体管处于导通状态。 此后,使门极—发