绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在各种电力电子装置中已得到了广泛的应用，但是长期以来对于其内部参数的提取缺乏有效的手段，从而影响了其仿真模型的应用以及使用水平的提高。本文对·IGBT栅极的传统平面结构和新型沟槽结构进行了比较，基于其工作机理与半导体物理方程进行了理论分析和公式推导，在分析现有方法不足的基础上提出了IGBT栅极各个参数提取的一些新方法，并且针对某一型号具体器件在不同工作条件下进行了提取实验，所得到的参数值都具有较好的一致性，同时也证明了该方法的准确性。