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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在各种电力电子装置中已得到了广泛的应用，但是长期以来对于其内部参数的提取缺乏有效的手段，从而影响了其仿真模型的应用以及使用水平的提高。本文对·IGBT栅极的传统平面结构和新型沟槽结构进行了比较，基于其工作机理与半导体物理方程进行了理论分析和公式推导，在分析现有方法不足的

在实际应用电力电子技术过程中，绝缘栅双极晶体管（IGBT）驱动保护电路的合理设计应根据具体器件的特性，选择合适的参数，使之实现最优驱动和有效可靠的保护。文中针对具体工程，对IGBT驱动保护电路的难点进行了分析，采用连续调节IGBT保护整定值的办法实现精确检测及使用延时判断电路用以判断真假过流的设计思