摘要 :无线接收机小型化及低成本的发展趋势 ,要求人们解决高集成度及低功率的问题 ,从而推动了将射频部 分与 基带电路部分实现单片集成的研究 ,我们给出了利用 0.18 μm CMOS 工艺设计的 5.2 GHz 低噪声放大器。在 1.8 V 电压下 ,工作电流为 24 mA 增益为 15.8 dB 噪声系数为 1.4 dB。