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射频LNA设计要求:低噪声放大器(LNA)作为射频信号传输链路的第一级,它的噪声系数特性决定了整个射频电路前端的噪声性能,因此作为高性能射频接收电路的第一级LNA的设计必须满足:(1)较高的线性度以抑
本文将介绍如何利用ADS设计和仿真低噪声放大器。
基于使LNA在5.5G~6.5G Hz频段内具有优良性能的目的,本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管,电路采用二级级联放大的结构形式,利用微带电路实现输
一种基于CMOS工艺的2.4GHz低功耗低噪声放大器设计.caj
摘要: 在无线通信终端中,低噪声放大器是射频接收系统中的第一级有源电路,对系统性能有重要影响。在深入分析噪声的基础上,提出一种采用共基差分输入结构的低噪声放大器,电路包括可控增益放大器和增益控制电路。
为通信和军事市场提供基于MMIC的完整解决方案的全球级提供商Hittite微波公司,最近发布一款用于频率范围为3.5~7GHz的微波无线电、军事和空间应用的密封封装的SMT GaAs MMIC低噪声放
BFP420晶体管设计2.4GHz低噪声放大器
C波段低噪声放大器的设计,高鹏,,低噪声放大器(LNA)是接收机的重要组成部分。本文主要应用微波电路仿真软件ADS实现了4GHz--5GHz低噪声放大器的设计,指标要求为:噪声�
802.16e低噪声放大器设计,徐天翱,陈永泰,本文利用安捷伦的E-pHEMT(增强型伪高电子迁移率晶体管)GaAsFETATF-551M4,设计了一个基于环氧树脂玻璃布层压板FR4工作在3.4-3.
L波段低噪声放大器的设计,张冬雪,陈世勇,本文首先介绍了低噪声放大器的设计方法以及采用源极串联负反馈提高晶体管的稳定性的原理,然后使用该方法设计了一个L波段低噪声��
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