多晶缺陷资料
晶体硅片上多晶硅和薄氧化硅的钝化机理
根据一家名为Nikkan的日本报社报导,夏普将会在明年春季投入生产下一代的低温多晶硅液晶显示屏,并配备到可能于2012年发布的iPhone 6上。如果消息属实,届时iPhone 6将会比之前的iPho
LDK董事长彭小峰10月7日指出,即使各界认为多晶硅将供过于求,但优质的多晶硅、甚至其它太阳光电产品仍供不应求,而2010年的需求其实也不见得悲观,尤其价格已调整到相当低的水位,普及性高,许多新兴市场
为了减小多晶硅表面的反射率, 采用皮秒激光在多晶硅片表面制备阵列孔绒面, 分析了激光参数对制绒深度的作用机理, 优选出实验参数:激光功率为15 W, 脉冲频率为25 kHz, 扫描速度为0.9 m/s
吕锦标首先就全球多晶硅产业格局做了分析,在他看来,多晶硅产业区域分布已经从欧美向亚洲市场转移,这种区域的转移起始于2008年,多晶硅跟随晶体硅光伏电池制造产能转移,更靠近亚洲的光伏原料消费市场。
本文对多晶硅太阳能电池的生产工艺进行深入探讨,包括硅片生产、晶圆制备、P-N接面形成、回流焊接等环节。同时分析了该工艺存在的问题及解决方案。读者可从中了解到该领域的最新技术动态和未来发展趋势。
基于数值模拟方法的单晶硅表面微构型制造研究,韩雪松,,显微探针技术的突破以及高端MEMS的性能需求促使微纳尺度三维表面结构/构型制造技术的研究不断深入。随着器件尺度的不断缩小,表面�
单晶硅表层机械力学特性的各向异性分析
利用800 nm波长的飞秒抽运探测技术测量了单晶硅表面50 ps内的瞬态反射率变化,研究了表面载流子的超快动力学过程。基于自由载流子密度变化过程建立的反射率模型可以很好地描述瞬态反射率变化,说明受激自
