浅析半导体激光管LD的电源设计

用于半导体激光器的温控电路设计，制冷模块是TEC

在过去的20多年,出现了一些新功率半导体开关器件和功率模块,在如功率MOS-FET,绝缘栅双极晶体管IGBT,碳化硅(SiC)器件等领域都有 了不同程度的新进展(以下未特别注明的MOSFET、IGBT

众所周知, 激光是通过受激辐射产生的光放大,具有亮度高、方向性好、相干性强、单色性优异的特点。正是由于这些异于普通光源的优越性,造就了如今激光在各个领域的广泛应用。但另一方面,激光作为单色光源,其光谱

用激光产生微电子学芯片的图形,这是一种相当新颖的工艺,目前正在英国掩模制作公司的计划中崭露头角。

当可触发的半导体激光器偏置在阈值以上零点几毫安时,可以辐射周期为几个亳微秒的很短(0.1毫微秒)的强(0.1瓦)脉冲。单个的均匀的光脉冲可由宽度直到几个亳微秒、幅度仅为零点几亳安的电流脉冲触发。这一行

半导体激光器的SPICE模型半导体激半导体激光器的SPICE模型光器的SPICE模型半导体激光器的SPICE模型

叙述了用高功率激光辐射退火的离子注入硅的物理和电学性能。重点放在用激光退火和用常规热退火可以得到的材料性能的对比上。讨论了这些技术在高效率太阳电池制作上的应用,以及这种新技术在其它材料领域的可能应用。

在直接以微波频率调制半导体激光器方面已取得很大的进展。Ortel和加州理工学院联合研制出适于高速运转的GaAlAs激光器的最佳结构。这些激光二极管已能在超过8千兆赫的X频带下连续调制。实验和理论研究表

详细介绍了晶体三极管的基础知识,能帮助更好地理解和学习

用XPS、AES、SEM等表面分析方法对He-Ne激光管反射镜膜的元素成分、浓度、价态以及表面形态在寿命过程中的变化作了研究,证明镜膜的损伤和沾污是激光管失效的重要因素。