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厚度变化对SmCo薄膜磁性和结构的影响，李宁，李明华，利用磁控溅射制备了Sm含量为18.0at%的不同厚度的SmCo薄膜，并对其进行了退火处理。实验结果表明当薄膜厚度为30nm时，退磁过程体现软�
DBD-HWCVD沉积硅薄膜的研究，张春丽，刘艳红，介质阻挡放电（DBD）等离子体增强热丝化学气相(HWCVD)沉积技术延承了PE-HWCVD技术沉积速率高的特点，同时降低了其中高能离子对薄膜的损
采用Sol-Gel法在ITO玻璃基板上制备了Mg0.2Zn0.8O薄膜用于电阻随机存取存储器,研究了退火温度对电阻开关行为的影响。 随着退火温度的升高,Mg0.2Zn0.8O薄膜的结晶度可以得到改善,
退火温度对碳注入外延硅蓝光发射特性的影响 李 忠1,赵 显2,李玉国1,薛成山1 (1.山东师范大学物理与电子科学学院,山东 济南 250014;2.山东大学晶体材料国家重点实验室,山东济南 2501
掠角沉积纳米结构薄膜技术研究,曹永智,吴超,薄膜技术有着悠久的历史。随着纳米技术的发展,具有特殊纳米结构的薄膜表现出多种独特的性质,使其在光学、能源以及新型传感器等
水基电沉积CuInSe2薄膜制备中络合剂对组元沉积电位的影响，李成杰，靳正国，本文给出了一种水基电沉积CuInSe2薄膜过程当中沉积电位变化的研究方法。通过向氯化铜(CuCl2•2H2O)，氯化铟，(
氧氩流量比对 RF溅射 ZnO: Mg薄膜结构及光 学性能的影响
通过化学路线沉积的过渡金属硫族化物纳米复合薄膜目前吸引了广泛的关注，其廉价，简单并且可用于大面积应用。由于应变引起的性质改变和晶格失配，基底的作用在膜沉积以及控制其性质中变得非常重要。使用溶胶-凝胶技
掺氮对溅射沉积a-GaAs1-xNx薄膜载流子浓度的影响
退火温度对VOx薄膜的结构、形貌和电化学性能的影响，尹嘉琳，张浩，以乙酰丙酮氧钒（C10H14O5V）、无水柠檬酸（C6H8O7）、乙二醇（C2H6O2）和水为原料，甲醇作溶剂，通过溶胶凝胶法在不同的
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