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应用于大面积光刻的激光图案检测系统，侯煜，胡贞，用两束相干激光以不同的组合形式对光致抗蚀剂曝光，可在大面积范围内产生精细的二维周期性图案，这个方法适合于产生光电子器件和
采用Ar+激光对Ge等半导体材料进行了光刻研究。实验发现存在两种阈值, 表面扫描光刻具有较低的阈值, 刻穿则要求更高的光强。刻蚀速率随着深度的增加而减小, 高掺杂半导体的光刻速率大于低掺杂样品。
图显示了一种简单分步重复光刻系统。掩模版放在聚焦透镜和投影系统之间,掩模图像是被缩小了5~10倍投影到衬底晶片上的。这种光学系统有很多优点:第一,可以利用大得多的特征尺寸绘制掩模图形,例如在制作了特征
步进扫描光刻系统是一种混合设各,融合了扫描投影光刻机和分步重复光刻机技术,是通过使用缩小透镜扫描一个大曝光场图像到晶片上一部分实现的。这种技术在一定程度上缓解了器件特征尺寸减小而半导体晶圆物理尺寸增加
实验发现飞秒激光单步刻蚀的光纤微腔两个反射壁与纤芯轴向并不完全垂直,微腔形状与飞秒激光经显微物镜聚焦后的焦点相对于光纤的位置有关。当激光经显微物镜聚焦于光纤侧表面时,刻蚀的微腔形状近似V型。与常规的光
多年前收集的小工具,希望能帮到有需要的人。 本工具具体来源不清楚了。
Phaser 3121激光打印机驱动,需在设备管理器中加载使用。
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