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ZnO薄膜p型掺杂及同质p-n结的室温电致发光，叶志镇，曾昱嘉，本文系统地报道ZnO薄膜p型掺杂技术，其中包括N掺杂技术、共掺技术、Li掺杂技术、非故意掺杂技术、大尺寸失配元素掺杂技术等；在p型�
退火对ZnO纳米杆/n-Si异质结I-V特性的影响，黄晖辉，方国家，采用水热法在n型重掺杂的硅片（100）上生长了垂直致密的ZnO纳米杆，并制备了ZnO纳米杆/n-Si异质结。研究了在630℃下不同退
900℃空气退火对L-MBE生长的ZnO薄膜发光特性的影响，王东，张景文，本文采用激光分子束外延法在蓝宝石衬底（0001）上生长了高度c轴择优取向的高质量ZnO薄膜，对生长的薄膜在空气中进行900℃退
液相法合成纳米Ag及Ag-Ag2S杂化纳米晶，赵艳猛，孙大鹏，通过液相法以油胺为还原剂和包覆剂，制得了单分散性很好的Ag纳米晶，该纳米晶平均尺寸在60.5nm并呈现出良好的自组装性能。然后，通�
非晶、纳米晶电极材料表面的电弧行为规律，王亚平，张程煜，系统研究了非晶、纳米晶电极材料表面电弧的基本规律。结果表明，大幅度细化显微组织能够改变电极材料表面电弧的基本行为。经过组
对光电位置传感器PSD 的结构、工作原理、特性进行了分析和概述; 并介绍了 PSD 在二维定位测量中的应用; 最后分析了造成系统误差的主要原因。
光源原理,特性及应用范围,常规光源外形特点,结构等
荧光碳纳米颗粒发光的机理，孙景，张泰平，荧光碳纳米颗粒是近年才被报道的一种新型的荧光纳米颗粒，其荧光发光机理尚不明确。本文总结了目前已被报道的荧光碳纳米颗粒的制
日电开发光纤纳米探针
本文报道了通过射频磁溅射成功将(掺杂的ZnO薄膜成功沉积在硅(100)上。 X射线衍射图表明,Eu替代了晶格中的Zn。 通过使用超导量子干涉装置在10 K和室温下获得铁磁环。 在零场冷却曲线和场冷却曲
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