基于电荷泵改进型CMOS模拟开关电路

电荷泵的基本原理是给电容充电，把电容从充电电路取下以隔离充进的电荷，然后连接到另一个电路上，传递刚才隔离的电荷。我们形象地把这个传递电荷的电容看成是“装了电子的水桶”。从一个大水箱把这个桶接满，关闭龙

一种改进型的CMOS电荷泵电路，朱翔，陈星弼，本文提出一种改进型的CMOS电荷泵电路结构。在传统的电荷泵电路基础上，本文采用了后级反馈控制结构和预充电结构。理论分析表明，��

要减小开关导通电阻,可以通过采用大宽长比的器件和提高栅源电压的方法,可是调节器件的物理尺寸不可避免地会带来一些不必要的寄生效应,比如增大器件的宽度会增加器件面积进而增加栅电容,脉冲控制信号会通过电容耦

本设计实例中描述的电压倍增器是Dickson电荷泵的改进型。

本文设计了一种高性能CMOS电荷泵锁相环电路,通过对传统电荷泵电路的改进,提高了充放电电流的匹配性,有效抑制了锁相环输出的相位偏差,提高了环路的稳定性。

导读:本文首先介绍了锁相环系统的工作原理,其次重点分析了传统电荷泵电路存在的一些不理想因素,并在此基础上,提出了一种改进型的电荷泵电路,减小了锁相环的相位误差。此外,通过设计倍频控制模块,扩大了锁相环

导读:本文设计了一种高性能CMOS电荷泵锁相环电路,通过对传统电荷泵电路的改进,提高了充放电电流的匹配性,有效抑制了锁相环输出的相位偏差,提高了环路的稳定性。 锁相环(phase-locked l

本文设计的应用于亚微米或者深亚微米的只读存储器的单阈值电荷泵解决了两阈值电荷泵产生的内部高压结点的威胁,同时也在改善了因体效应变化使编程电压出现传输损失的问题。电路结构在台积电0.35微米的工艺得到仿

当前VLSI 技术不断向深亚微米及纳米级发展,模拟开关是模拟电路中的一个十分重要的原件,由于其较低的导通电阻,极佳的开关特性以及微小封装的特性,受到人们的广泛关注。模拟开关导通电阻的大小直接影响开关的

摘要:本文针对传统电荷泵电路的非理想效应,对CMOS锁相环中的电荷泵电路进行了改进,设计了一种采用电流控制技术的新型pump-up电荷泵。采用标准chartered 0.35um/3.3V 模型,通过

导读:本文首先介绍了锁相环系统的工作原理,其次重点分析了传统电荷泵电路存在的一些不理想因素,并在此基础上,提出了一种改进型的电荷泵电路,减小了锁相环的相位误差。此外,通过设计倍频控制模块,扩大了锁相环

在分析电荷泵锁相环结构和原理的基础上,采用符号函数sign()来描述状态变化,建立一个输入参考频率为50 MHz,输出频率为900 MHz的三阶电荷泵锁相环的事件驱动模型,通过设定模型中的参数,应用M

电路设计方案

　　摘要：电荷泵式电子镇流器，采用充电电容和高频交流源，以实现功率因数校正(PFC)，这已成为荧光灯镇流器中极有吸引力的电路拓扑。但这种电路还存在一些问题，如输入电流的THD值高，灯电流的波峰比(CF

电路设计方案