适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

LDMOS以其高功率增益、高效率及低成本等优点,被广泛应用于移动通信基站、雷达、导航等领域。射频大功率LDMOS已成为3G手机基站射频放大器的首选器件。本文将在基本LDMOS的基础上,通过器件结构的改进来提高LDMOS的抗击穿能力。