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集成电路制造工艺中,通过光刻和刻蚀将掩膜版上的图形转移到硅片上。这种制造集成电路时使用的掩膜版上的几何图形定义为集成电路的版图。版图要求与对应电路严格匹配,具有完全相同的器件、端口、连线
CMOS Scaling理论下器件特征尺寸越来越小,这使得CMOS电路结构中的闩锁效应日 益突出。闩锁是CMOS电路结构所固有的寄生效应,这种寄生的双极晶体管一旦被外界条件触发, 会在电源与地之间形成
CMOS集成门电路的应用
摘 要:本文介绍目前正在研发、将来终将成为主流射频收发器的CMOS射频电路的体系结构和电路设计,设计实例将展示CMOS射频电路的良好性能,并预示CMOS射频集成电路取代砷化镓和SiGe电路实现系统集
浅谈CMOS集成电路的应用 本资源为学术论文,供大家免费下载使用 作者:尹 利 曹卫刚 王晓欢
提出一种新型的直流固态继电器设计方案。为了使继电器具有滞回特性,采用在控制电路中引入正反馈回路的方法来实现继电器的导通电压和截止电压分离,防止临界抖动的现象发生。同时继电器输出不受负载的影响,输入、输
利用ABAQUS软件,在考虑几何与材料双重非线性的基础上,采用有限元模拟方法对山西某博物院馆的单层折面钢管网壳的典型铸钢节点进行了设计荷载下承载力验算、极限荷载评定、地震下的耗能能力分析。分析表明:该
反向滞回比较器的功能和使用方法。作为一种高效的比较器应用程序,反向滞回比较器可用于电子设备中的信号比较和判断。它具有快速响应、低功耗的特点,能够准确地判断输入信号的高低电平。通过学习本文,您将了解如何
考虑混凝土结构实际滞回性能的R-μ-T规律分析,韦锋,雷鑫,单自由度体系R-μ-T规律是基于性能的抗震设计理论中的基本规律之一。以往大多研究者认为滞回模型对R-μ-T规律没有影响,但这些研究中
滞回电压比较器原理介绍及实用电路图实例,值得一看哦!
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