本文设计的低噪声放大器,工作在2. 4 GHz频段上,采用SM IC 0. 13μm RF CMOS工艺设计。如何在限定功耗的前提下尽可能实现输入输出功率匹配以及提高低噪声放大器的噪声性能成为设计中的最大挑战。