低剂量率下MOS器件的辐照效应

电路设计方案

基于SOI CMOS技术的抗辐射电路设计存在开发周期长、测试费用昂贵的问题。针对这一难点,本文通过对总剂量辐射效应机理的分析,提出了一种背栅总剂量效应电流模型。模型验证结果表明,该背栅总剂量模型仿真结

以波导电光调制器芯片结构为例,利用点匹配法计算调制器芯片的电场分布,从而计算调制器电极的微波有效折射率,由此提出了器件折射率的概念.进一步证明了当光电信号互相匹配时调制带宽可达100GHz.

分析了三极管等效模型,讲解了密勒效应原理,并实际测试了不同的密勒电容下的压摆率

集肤效应已经广为人知,早在1915年就已推导出了表层厚度与频率之间的关系式。从图1就可以看出,感应的涡流是如何使电流只流经导体外表面极薄的一部分的。 圆导线沿着直径的切面如图1所示,主电流的流向为

AO的场效应器件选型指南

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MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构,直流电不能通过,因而低频的表态驱动功率接近于零。但 是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs,因而在高频率的交替

碳化硅MOS管SiCMOS PFC功率器件主开关管的选择..如传统的PFC拓扑普通无桥PFC双升压无桥PFC图腾柱无桥PFC等并已成功大范围应用在设计过程中.碳化硅MOSFET相对于IGBT或超结

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