电容去耦透彻讲解

通常IC仅通过电容来达到去耦的目的,因为电容并不理想,所以会产生谐振。本文介绍了高速PCB设计--IC的去耦

本文主要介绍保护UUT的电源去耦器,感兴趣的朋友可以看看。

我们计算和分析了由弯曲二维空间中的量子场引起的非局部引力形状因子。 借助协变热核方法对标量，自旋和大规模矢量进行计算，直至曲率的第二阶，并使用费曼图进行确认。 紫外线（UV）限值的分析揭示了非最小标量

当选择旁路和去耦电容时,会牵涉到计算电容器的充、放电自谐振频率,这可通过逻辑系列结合所使用的时钟速度计算。电容器的电容值选择还是必须根据该电容器在电路中的容抗。低于谐振频率以下,电容器表现为容性,高于

本文介绍了运放电源的去耦旁路电容的接法。

ESR表示电容器中的电阻损耗。这个损耗包括金属电极分布电阻、内部电极间的接触电阻,以及外部端接电阻。高频下的趋肤效应会增加器件的引线电阻值,所以高频ESR大于直流下的ESR。 ESL也能表示电容器

什么是去耦和旁路?去耦和旁路可以防止能量从一个电路传播到另一个电路上去,进而提高电源分配系统的质量。 回顾前面章节的介绍,可知数字逻辑电路通常涉及两个可能的状态,“0”和“I”(参考图3-1所示数

这篇大合集收录了9篇关于天线去耦方法的研究文献，包括中英文论文。对于正在写论文或者对该领域感兴趣的读者来说，这些文献都是值得仔细阅读的。需要注意的是，文献中可能包括博士、硕士的毕业论文，不建议直接引用

在现代电子设计中，随着工作频率的提升，电源和地平面之间的谐振现象对电路板（PCB）的影响越来越成为设计者必须关注的问题。从谐振原理和去耦电容的作用出发，对LVDS（Low-Voltage Differ

文中研究相邻微带贴片天线的耦合消除方法,思路是通过在两个天线之间设计一种耦合结构使场能够通过该耦合结构从一个天线耦合到另一个天线,并使之与两天线之间的直接耦合场形成对消,从而实现两个天线之间总的场耦合