单晶炉导流筒、热屏及炭毡对单晶硅生长影响的优化模拟.pdf

2017半导体单晶硅片行业研究报告

AgGa1-xInxSe2单晶的生长研究,黄毅,赵北君,采用高纯(99.9999%)Ag、Ga、In和Se单质为原料,按化学计量比富Se 0.3~0.5% 配料,通过机械振荡和温度振荡相结合的方法合成

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准单晶硅技术介绍

采用提拉法生长了双掺杂钕离子(Nd3+)和铟离子(In3+)的同成分LiTaO3单晶。测量了该单晶的紫外-可见光吸收光谱, 分析了该晶体的缺陷结构, 得到了铟离子的掺杂浓度阈值。当铟离子掺杂浓度达到该

孔洞对纳米单晶Cu力学性能影响的分子动力学模拟，袁林，单德彬，当金属材料进入到纳米尺度，由于其极小的尺寸，含有的缺陷数量必然很少，单个或者几个孔洞显然会极大影响纳米材料的力学行为。鉴

采用竖式布里奇曼法生长了若干优质的ф20×80 mm AsGaSe2单晶体。经过Ag2Se共存下退火的样品,其通光波段透过率几乎都达到反射极限。计算了I型和II型红外倍频器的角度调谐特性曲线,利用上述

不同容器类型对刺槐容器苗生长影响的研究，李静，张婷婷，本文结合容器育苗的一些培育技术和方法，选择三种容器培育刺槐容器苗，并进行了系统研究。通过对三种容器类型培育的刺槐容器苗的

Al2O3/SiNx叠层膜对单晶硅太阳能电池钝化机制的研究 ，王禹钧，张炳烨，本文主要研究了同一退火时间下不同退火温度对n型CZ-Si单层厚度为8nm的Al2O3膜钝化效果的影响，发现在退火时间为25

单晶炉控制装置维护说明书doc,单晶炉控制装置维护说明书