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AgGa1-xInxSe2晶体退火改性研究，万书权，朱世富，采用改进布里奇曼法生长出外观完整的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭，晶体的红外透过率低，不能直接用于红外非线性光学器件制备。采
本文采用物理气相传输法对不同衬底温度和温差下制备的氮化铝(AlN)晶体形貌进行研究,研究结果表明AlN晶体生长受到AlN晶面表面能、Al基元平均动能和AlN晶体表面极性的共同影响。当温差为60 °C时
高频微电子学和光电子学是GaAs材料应用的两个重要的分支，单晶生长技术也相应分开。
硅单晶生长和硅片准备,说明硅生产的基本工艺过程
氮化镓( GaN) 作为第三代宽禁带半导体核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想材料。受
石墨烯单晶的可控生长，韩江丽，曾梦琪，化学气相沉积（CVD）法作为合成石墨烯的主流方法之一，已在大面积高质量石墨烯的可控制备领域获得了广泛应用。但由于生长基底形貌
含有三价稀土离子的钒酸钇,对于激光器及磷光体的应用是有意义的。它是四方晶体,具有硫酸锆的结构,空间群为D
掺铥钨酸钡单晶生长和光谱研究，臧竞存，郑锴，采用Czochralski 法生长出光学质量的BaWO4:Tm3+单晶，利用X粉末衍射实验确定了不同掺杂浓度晶体的晶胞参数。测定了晶体的室温吸收光谱，�
本文利用有籽晶的HPVGF法生长了尺寸为54 mm×25 mm的高质量CdSe单晶, 晶体为纤锌矿结构, (002)和(110)面的XRD摇摆曲线半高宽分别为54.4′′和45.6′′。使用红外显微
LEC法生长InP单晶结构与缺陷研究，陈爱华，杨瑞霞，运用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的InP熔体，并利用液封直拉法(L EC )生长出了3英寸富磷掺铁InP单晶。运用高分辨率X射线衍
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