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单晶硅和晶硅的区别
氧化钾助熔剂法生长近化学计量比In:LiNbO3单晶的缺陷结构研究，方双全，乔英杰，以K2O作助熔剂，利用顶部籽晶助熔剂方法（TSSG）生长了不同铟含量的近化学计量比In:LiNbO3 （In:SLN
Nb:SrTiO3单晶基片上外延生长BaTiO3薄膜的漏电流机制分析
生成氧化层最简单的方法是在有氧环境下加热硅wafer。如果用纯净的干氧气,最终的氧化膜叫做干氧化层。图2.7 是一种典型的氧化设备。Wafer被装在叫做wafer 船的fused sillica架子上
阈值分割和区域生长vc++代码，里面以实验报告的形式，有图有真相！
硅片蚀刻机操作展示
硅片真空夹紧装置设计zip,硅片真空夹紧装置设计
本文对硅片切割工艺与设备进行概括探讨
线切割的原理以及专业性电源要求介绍。
传统的RCA清洗技术:所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统 清洗工序: SC-1 → DHF → SC-2 1. SC-1清洗去除颗粒:(1) 目的:主要是去除颗粒沾污(粒子)也能去除部分金属杂质
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