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氧化铝对单晶硅表面的纳米磨损研究，肖晨，刘潇枭，氧化铝材料具有较长的使用寿命，是优良的单晶硅抛光研磨颗粒材料；研究其对单晶硅表面的磨损行为，对氧化铝/硅化学机械抛光体系�
电化学-臭氧耦合氧化体系的氧化效能，周琦，张蓉，利用电化学-臭氧耦合氧化体系降解了水中的对氯苯酚，从动力学角度初步探讨了该耦合氧化体系在降解有机物过程中的协同效应。结果�
本综述分析了微波等离子化学气相沉积(MPCVD)单晶金刚石生长及其电子器件近年来的研究进展,并对其进行展望。详细介绍了金刚石宽禁带半导体特性、生长原理、生长设备、衬底处理。研究了影响MPCVD单晶金刚
详细研究了通过环境压力化学气相沉积(CVD)在铜箔上石墨烯畴随时间的结构演变。 获得了高达数十微米的单晶石墨烯结构域,并且首先建立了碳-铜(C-Cu)合金化的纳米颗粒,以充当为石墨烯结构域的生长提供碳
针对目前选煤厂使用的煤油捕收剂选择性差、药剂消耗量大的现状,使用高锰酸钾作为催化剂,对煤油进行电化学催化氧化改性,提高其对高灰难浮煤泥的捕收能力,降低药剂消耗量,通过浮选验证试验可以得出,使用氧化煤油
氮化镓(GaN)晶体是制备蓝绿光激光器、射频微波器件以及电力电子等器件的理想衬底材料,在激光显示、5G通讯及智能电网等领域具有广阔的应用前景。目前市场上的氮化镓单晶衬底大部分都是通过氢化物气相外延(H
通过原子层沉积法生长的透明防水二氧化铈薄膜
本书源于作者在直拉硅单晶生长控制领域十余年的研究心得与成果积累，在对硅单晶生长工艺参数及制备理论进行全面论述的基础上，系统地介绍了直拉硅晶体生长的基本原理和工艺过程以及热场、磁场等关键部件的设计理论与
采用物理气相传输(PVT)法在AlN原料表面自发生长出大量毫米级尺寸的AlN单晶。本文对该工艺下AlN单晶的自然形貌、极性、杂质含量等进行了分析。实验及分析结果表明,在实验工艺条件下,原料表面生长的A
通过Czochralski法在大气中生长了分别掺杂有Fe 2 O 3,CuO和各种In 2 O 3的LiNbO 3晶体。使用典型的两波耦合实验测量了在532 am波长处的光折变特性。同时,表征了光致散
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