传统的RCA清洗技术:所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统 清洗工序: SC-1 → DHF → SC-2 1. SC-1清洗去除颗粒:(1) 目的:主要是去除颗粒沾污(粒子)也能去除部分金属杂质。(2) 去除颗粒的原理: 硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜(约6nm呈亲水性),该氧化膜又被NH4OH腐蚀,腐蚀后立即又发生氧化,氧化和腐蚀反复进行,因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。1 自然氧化膜约0.6nm厚,其与NH4OH、H2O2浓度及清洗液温度无关。2 SiO2的腐蚀速度,随NH4OH的浓度升高而加快,其与H2O2的浓度无关。3 Si的腐蚀速度,随NH4OH的浓度升高而