自1976年开发出功率MOSFET以来,由于半导体工艺技术的发展,它的性能不断提高:如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V;低导通电阻MOSFET其阻值仅lOmΩ;工作频率范围从直流到达数兆赫;保护措施越来越完善;并开发出各种贴片式功率MOSFET(如Siliconix最近开发的厚度为1.5mm"Little Foot系列)。另外,价格也不断降低,使应用越来越广泛,不少地方取代双极型晶体管。 多年来许多制造商持续推出了许多代功率MOSFET产品。30年多来,基准基本上每年都会更新。至写这篇文章时,100V基准公认为是英飞凌的IPB025N10N3G所保持。与IRF100的4Ω–mm