全CMOS基准电压源的分析与仿真

为满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求,本文提出了一种在0.25mN阱CMOS工艺下,采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成,实现了VBE和

本文首先对传统的带隙电压源原理进行分析,然后提出了一种比较廉价且性能较高的低压带隙基准电压源,采用电流反馈、一级温度补偿技术设计了低压CMOS带隙基准源电路,使其电路能工作在较低的电压下。本文介绍这种

英文的 关于精密基准电压源 TL431引脚说明，要用的可以借鉴一下

SAR(逐次逼近寄存器) ADC基准电压对转换精度的影响比最初想象的还要大。图1所示为理想和带增益误差的3位ADC转换器的传递方程。ADC的传递方程等于: 在这里,DCODE为数字输出代码,VIN

串并联电压基准串联型电压基准串联型电压基准具有三个端子：VIN、VOUT和GND，类似于线性稳压器，但其输出电流较低、具有非常高的精度。串联型电压基准从结构上看与负载串联(图1)，可以当作一个位于VI

引言 温度补偿齐纳二极管是最易于使用的电压基准源。然而,温度补偿齐纳管的最低电压是6.2V。当工作电源电压为6V或更低时,获得一个零温度系数的基准源会变得很难。而当您使用LM113时,问题就自然迎刃

本文对电压基准源引起的ADC系统的DNL误差进行了建模分析,提出了一种采用二阶曲率补偿技术的电压基准源电路,该电路运用低噪声两级运放进行箝位,同时在采用共源共栅电流镜技术的基础上加入了PSR提高电路。

 在专用医学微弱信号放大电路中,需要非常精准的电压源,为此,提出了一种新型的带隙基准电压源,采用低温补偿和高温补偿相结合的温度补偿方式,输出带隙基准电压为1.109 V,在-40~1

提出了一种新颖的可用于AC/DC控制芯片中的基准电压源电路。此电路以PTAT(proportional to absolutetemperature)电流为偏置电流,利用二极管连接的MOS晶体管迁移率

1安装集成基准电压源时,要尽量远离功率元件,如变压器、电热元件、大功率半导体器件以及大功率电阻等,这样更有利于发挥该器件的温度稳定特性。 2输出负载电流不可大于规定的输出电流值,否则会影响输出基准电