三十多年来,本本体硅(bulk silicon)MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要CMOS工艺。我们非常热衷于从缩小晶体管来提高密度和性能。在相同的成本上具有更快的速度、更大的内存,是一件多么美妙的事情!越来越多的在工艺上的进步目前已能使完好的特征尺寸升级到90nm技术节点。然而,在深层纳米尺寸满足对漏电和性能的需要却迅速地把传统的晶体管逼入困境。