元器件应用中的ST推出采用新STripFET技术的功率MOSFET系列产品

意法半导体(ST)推出两款适用于直流-直流转换器的全新功率MOSFET(金属互补氧化物场效应晶体管)产品。新产品采用ST独有的最新版STripFET制造技术,拥有极低的导通损耗和开关损耗,在一个典型的

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型500V电压的功率MOSFET——SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)

意法半导体推出快速恢复MOSFET晶体管新产品系列,为满足包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求,新产品在现有产品的基础上提高了开关性能,同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。 STW55

导读:意法半导体(简称“ST”)日前发布三款先进的高压功率MOFET系列产品,此系列产品具有高达650V和800V电压运行所要求的隔离通道长度和间隙,采用的PowerFLAT封装比主流的DPAK封装缩

世界领先的功率半导体产品制造商之一的意法半导体(纽约证券交易所代码:STM)近日推出了新系列功率MOSFET产品的第一款产品。 通态电阻极低,动态特性和雪崩特性非常优异,新系列产品为客户大幅度降低照明

功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此,要求同时输出较大的电压和电流。管子工作在接近极限状态。一般直接驱动负载,带载能力要强。 功率MOSFET是较常使用的一类功率器件。“MO

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)近日推出采用超紧密薄型封装的高性能MicroFET MOSFET系列产品,能够满足可携式产品设计人员对于效率更高、外形更小更薄的解决方案

STMicro推出PowerMESH IGBT工艺的新系列产品,更加完善了其在家用电机控制、功率因数校正器、感应加热设备等交互式电力供应上的功能。PowerMESH IGBT V系列产品采用了带状布局

意法半导体日前推出多款基于STripFET技术的低压N沟道场效应MOS晶体管。STripFET技术采用优化布局和最新工艺,提高了栅电荷、栅电阻和输入电容特性,并且降低了导通和开关损耗。这些产品适用对象

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx