本文通过分析RF功率LDMOSFET的性能和结构特征,设计出RF功率LDMOSFET器件结构,通过工艺和器件模拟确定了关键参数,并设计了一套符合6寸芯片生产线的制造工艺流程,对工艺中的难点提出了解决方案。