根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元(cell)技术所做的详细比较分析发现,虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限,但各大DRAM制造商仍将持续朝2x纳米甚至1x纳米节点前进。 Techinsights最近分析了包括三星(Samsung)、SK海力士(Hynix)、美光 (Micron)/南亚(Nanya)与尔必达(Elpida)已量产的3x纳米SDRAM存储器单元阵列结构之制程技术与元件架构,推论该技术仍有进一步微缩的空间,而共同解决方案是结合埋入式字线(buried wordlines,b-WL)与鳍状存取晶体管(