NAND闪存是一种高密度非易失性存储器,基于电压调制原理而操作。随着技术开发和工艺改进,MLC NAND(2 bit/cell NAND)的架构正变得日益复杂化。今天,单个8Gb密度SLC NAND闪存芯片的MOSFET数量就超过70万,这还未包括所有阵列器件在内;MLC约是SLC的1.5-2倍。图1显示了NAND功能块基本结构图,它通常是由I/O、低压(LV)系统、高压(LV)系统、控制逻辑和阵列5大部分组成。 I/O是芯片接口,包括高速I/O接口电路和ESD。 低压(LV)系统将提供内部电源供应和各个区域的功耗管理。同时它还可产生芯片中其它电路的电压和电流基准。 高压(H