元件选择参见图B,其中VS1采用1-3A、400V以上的单向可控硅,VS3采用10-25A,600-800V的双向可控硅。U采用2A、400V的全桥,亦可采用四只二极管VD1-VD4构成桥式整流电路。在选择TWH8778时应测量一下,1端加10V的直流电压,5端加1.6V电压应能导通,当5端电压下降至1.2V时,2、3端输出电压应为0V,即完全关断。光电耦合器可选用TIL117或TIL113,输入电压为1.3V,输入电流在200uA左右即可控制。R2采用150K、1W以上金属膜电阻器,C1采用100uF、耐压25V以上的电解电容器。VDW2采用2CW15、稳压值为8V。C3、R4构成感性负载过