富士通微电子(Fujitsu Microelectronics)发表CMOS逻辑高电压晶体管的最新开发进展,此款晶体管具备高击穿电压的特性,适合支持无线装置所使用的功率放大器(PA)。 富士通所开发的这款45奈米CMOS晶体管,能支持10V功率输出,让晶体管能因应各种高输出规格,满足WiMAX与其它高频应用*率放大器的规格需求。此外,该新技术并实现了在同一晶粒(die)中藉由CMOS逻辑控制电路,达到单 芯片整合的目标,可进而开发出高效能、低成本的功率放大器。 富士通开发的新晶体管结构具有多项关键特性。晶体管的汲极周围有一个“轻微掺杂汲极”(lightly doped dra