微波晶体管器件的发展也经历了微波真空管发展过程中所遇到的相同问题。正如电子渡越时间限制了真空管的工作频率一样,它也限制了半导体器件的工作频率。通过半导体区域所需要的渡越时间不仅仅由该区域的厚度决定,还要受到电子饱和速度的影响。电子饱和速度约107cm/s,这是在一种给定的材料中电子速度所能达到的最大值。另外,少数载流子处于一种“存储”状态,不能很容易地移动,这就导致了延迟,从而限制了器仵的转换时间。同样,像真空管一样,电极间的电容也限制了晶体管器件的工作频率。尽管采用了可变电容二极管,PN结二极管P区和N区之间的电容也严重,限制了工作频率和转换时间。 第二次世界大战期间开发了一些微波二极