在高速时钟电路中,尤其要注意元件的RF去耦问题。究其原因,主要是因为元件会把一部分能量耦合到电源/地系统之中。这些能量以共模或差模RF的形式传播到其他部件中。陶瓷片电容需要比时钟电路要求的自激频率更大的频率,这样可选择一个自激频率在10~30 MHz,边沿速率是2 ns或者更小的电容。同理可知,由于许多PCB的自激范围是200~400 MHz,当把PCB结构看做一个大电容时,可以选用适当的去耦电容,增强EMI的抑制。表5-1和表5-2所示给出了电容选择方面有用的数据。从这两个表中,可以知道由于引线中不可避免存在较小电感,表面安装元件具有更高的(大约两个数量级)自激频率。 铝电解电容不适用