开关电源中,主控元器件MOSFET、ICBT、晶闸管等是作为开关使用的,而且,其根据开关的通/断控制能量传递的流向。这里,因为控制过程只是开关的通/断,所以从理论上讲,可以是无损耗地对功率进行控制,而且能通过改变开关的占空比对功率进行连续控制。这样,提高开关的工作频率,就可以使电子设备的电源小型轻量化,或者提高其控制性能。然而,实际上采用的半导体元器件都不是理想的,都具有一定的导通与截止的时间,另外,在控制电路中也还存在有接线电感及变压器漏感、寄生电容、二极管蓄积电荷等的影响。这些因素会产生开关损耗及浪涌,使电子设各的性能下降,而且,其形成的噪声还会影响周围电子设备的正常工作。 随着半导