RFID技术中的飞思卡尔为L波段雷达推出50V LDMOS功率晶体管

飞思卡尔半导体业已推出了全球首款用于L-Band(L波段)雷达应用的50V LDMOS功率晶体管产品线,从而继续推动了大功率射频(RF)技术的发展。该产品线是各种大功率RF应用的理想选择,包括:空中交

飞思卡尔半导体近日推出50伏横向扩散MOS(LDMOS)RF功率晶体管,输出功率比与之竞争性UHF TV 广播解决方案高50%。MRF6VP3450H器件展示出业界领先的RF品质参数,是同类UHF应用

飞思卡尔(Freescale)半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率,具有同类

随着基于 LDMOS(laterally-diffused metal oxide semiconductor,横向扩散金属氧化物半导体)技术的三个高性能 RF 功率晶体管的推出,飞思卡尔(Frees

近期,凭借第七代高压(HV7)射频 LDMOS技术,飞思卡尔半导体成功取得了在3.5 GHz 频段运行的符合WiMAX 基站所需的射频功率放大器性能。飞思卡尔的这一成功标志着制造商的射频横向扩散金属氧

导读:近日,英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率(700瓦),适用于工作频率范围为1200 MHz~1400 MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少所需的

飞思卡尔半导体公司为适用于时分同步码分多址(TD-SCDMA)无线基站推出高功率多级射频功率LDMOS FET。 TD-SCDMA标准是第三代无线接入方法,这种标准有望在中国广泛采用。飞思卡尔是家专门

飞思卡尔半导体推出7款性能卓越的LDMOS RF功率晶体管,能够让WCDMA和CDMA2000基站发射器发挥Doherty放大器架构的全部潜力。 Doherty架构迅速成为行业标准,提供非常出色的

过去,RF功率的性能完全取决于线性效率。如今,开发者遇到更加复杂的挑战:需要满足多种标准、信号变化和严格的带宽要求等。针对这一问题,飞思卡尔半导体推出新型硅片RFLDMOS功率晶体管AirfastRF

飞思卡尔宣布推出业内款封装在超模压塑料封装内、性能堪与气腔封装媲美的2 GHz大功率RF晶体管。这些先进的设备基于飞思卡尔的高压第七代(HV7)RF外侧扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 技术。这种先