RFID技术中的飞思卡尔扩大RF功率晶体管产品阵容

随着基于 LDMOS(laterally-diffused metal oxide semiconductor,横向扩散金属氧化物半导体)技术的三个高性能 RF 功率晶体管的推出,飞思卡尔(Frees

近期,凭借第七代高压(HV7)射频 LDMOS技术,飞思卡尔半导体成功取得了在3.5 GHz 频段运行的符合WiMAX 基站所需的射频功率放大器性能。飞思卡尔的这一成功标志着制造商的射频横向扩散金属氧

飞思卡尔宣布推出业内第一款封装在超模压塑料封装内、性能堪与气腔封装媲美的2 GHz大功率RF晶体管。这些先进的设备基于飞思卡尔的高压第七代(HV7)RF外侧扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 技术。这

过去,RF功率的性能完全取决于线性效率。如今,开发者遇到更加复杂的挑战:需要满足多种标准、信号变化和严格的带宽要求等。针对这一问题,飞思卡尔半导体推出新型硅片RFLDMOS功率晶体管AirfastRF

飞思卡尔半导体推出适用于L波段雷达应用的50V LDMOS RF功率晶体管产品的神秘面纱。这一产品线非常适合于各种高功率RF应用,包括空中交通管理和长射程气象雷达。 RF产品线包括MRF6V143

飞思卡尔半导体近日推出50伏横向扩散MOS(LDMOS)RF功率晶体管,输出功率比与之竞争性UHF TV 广播解决方案高50%。MRF6VP3450H器件展示出业界领先的RF品质参数,是同类UHF应用

飞思卡尔(Freescale)半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率,具有同类设备的排

FREESCALE采用它的第七代高压(HV7) RF LDMOS技术,推出工作在3.5GHz波段的WiMAX基站的RF功率晶体管.这是个采用这种技术(RF LDCMOS)制造的功率晶体管,其它制造商从

飞思卡尔半导体公司为适用于时分同步码分多址(TD-SCDMA)无线基站推出高功率多级射频功率LDMOS FET。 TD-SCDMA标准是第三代无线接入方法,这种标准有望在中国广泛采用。飞思卡尔是第一家

rfpower中功率射频晶体管,列出了一些常见的射频中功率晶体管的参数。